特許
J-GLOBAL ID：202003012367577390
歪センサ、およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人みのり特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-193492
公開番号（公開出願番号）：特開2020-060519
出願日： 2018年10月12日
公開日（公表日）： 2020年04月16日
要約：
【課題】従来と同程度のゼロに近い抵抗温度係数TCRを有し、かつ従来よりも大きなゲージ率GFを有する歪センサを提供する。【解決手段】本発明に係る歪センサ1Aは、基板2と該基板2の歪に応じて電気抵抗が変化するよう構成された感応層と4を備えたものであって、基板2と感応層4との間にバッファ層3をさらに備え、感応層4は、Ti、CおよびOを含む材料からなり、バッファ層3は、感応層4と同じ結晶構造を有し、バッファ層3の格子定数をab、感応層4の格子定数をasとしたとき、abとasとの間にas×N×0.95≦ab≦as×N×1.05(ただし、N=1,2)の関係がある、ことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と該基板の歪に応じて電気抵抗が変化するよう構成された感応層とを備えた歪センサであって、
前記基板と前記感応層との間にバッファ層をさらに備え、
前記感応層は、Ti、CおよびOを含む材料からなり、
前記バッファ層は、前記感応層と同じ結晶構造を有し、
前記バッファ層の格子定数をab、前記感応層の格子定数をasとしたとき、abとasとの間にas×N×0.95≦ab≦as×N×1.05(ただし、N=1,2)の関係がある
ことを特徴とする歪センサ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
2F063AA25
, 2F063EC04
, 2F063EC13
, 2F063EC26
