特許
J-GLOBAL ID：202003012541879350
半導体集積回路および撮像装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-255001
公開番号（公開出願番号）：特開2017-169192
特許番号：特許第6733540号
出願日： 2016年12月28日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 それぞれ定電流源を備えた複数の信号処理回路が一方向に配列された半導体集積回路であって、
複数の前記信号処理回路の配列である信号処理回路列の一端側に配置され、供給される電流に応じてバイアス電圧を発生させる第1バイアス源と、
前記信号処理回路列の他端側に配置され、供給される電流に応じてバイアス電圧を発生させる第2バイアス源と、
前記第1バイアス源に対して基準電流を供給する第1バイアス回路と、
前記第2バイアス源に対して基準電流を供給する第2バイアス回路と、
前記第1バイアス源が発生させたバイアス電圧、及び前記第2バイアス源が発生させたバイアス電圧を、前記定電流源を構成するトランジスタそれぞれのゲートに対して供給するバイアス配線と、
前記第1バイアス源、前記第2バイアス源及び前記定電流源それぞれに対して電源電圧を供給する電源配線と、
前記信号処理回路列の一端側に配置され、前記電源配線に電源電圧を印加する第1電圧供給源と、
前記信号処理回路列の他端側に配置され、前記電源配線に電源電圧を印加する第2電圧供給源と、
を有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
H04N 5/378 ( 201 1.01)
, H04N 5/374 ( 201 1.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
H04N 5/378
, H04N 5/374
, H01L 27/146 A
