特許

J-GLOBAL ID：202003012851063880

磁気記憶装置

発明者： 大坊 忠臣 ,  中崎 靖 ,  甲斐 正 ,  河合 宏樹 ,  石原 貴光 ,  伊藤 順一
出願人/特許権者： キオクシア株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-052166
公開番号（公開出願番号）：特開2020-155565
出願日： 2019年03月20日
公開日（公表日）： 2020年09月24日
要約：

【課題】 優れた特性を有するトンネルバリア層が設けられた磁気抵抗効果素子を含む磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 実施形態に係る磁気記憶装置は、可変の磁化方向を有する第1の磁性層11と、固定された磁化方向を有する第2の磁性層12と、第1の磁性層と第2の磁性層との間に設けられ、マグネシウム(Mg)及び酸素(O)を含有する非磁性層13とを備えた積層構造10を含み、非磁性層は、フッ素(F)、硫黄(S)、水素(H)及びリチウム(Li)から選択された添加元素をさらに含有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

可変の磁化方向を有する第1の磁性層と、 固定された磁化方向を有する第2の磁性層と、 前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられ、マグネシウム(Mg)及び酸素(O)を含有する非磁性層と、 を備えた積層構造を含み、 前記非磁性層は、フッ素(F)、硫黄(S)、水素(H)及びリチウム(Li)から選択された添加元素をさらに含有する ことを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (7件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  H01F 10/32 ,  G11B 5/39 ,  G11B 5/02

FI (6件)：

H01L27/105 447 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/32 ,  G11B5/39 ,  G11B5/02 U

Fターム (29件)：

4M119AA02 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD17 ,  4M119JJ03 ,  5D034BA02 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5D091DD03 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5F092AA04 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092CA02