特許

J-GLOBAL ID：202003012873079640

磁気記憶装置

発明者： 渡邉 大輔 ,  永瀬 俊彦
出願人/特許権者： キオクシア株式会社
代理人 (5件)： 蔵田 昌俊 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  鵜飼 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-163553
公開番号（公開出願番号）：特開2020-035976
出願日： 2018年08月31日
公開日（公表日）： 2020年03月05日
要約：

【課題】トンネル磁気抵抗比、及び磁気異方性を向上させる。【解決手段】一実施形態の磁気記憶装置は、磁気抵抗効果素子を備える。上記磁気抵抗効果素子は、第1強磁性体と、第2強磁性体と、上記第1強磁性体及び上記第2強磁性体の間に設けられた第1非磁性体と、上記第1強磁性体に対して、上記第1非磁性体と反対側に設けられた第2非磁性体と、上記第2非磁性体に対して、上記第1強磁性体と反対側に設けられた第3非磁性体と、を含む。上記第2非磁性体は、希土類酸化物を含み、上記第3非磁性体は、ルテニウム(Ru)又はモリブデン(Mo)を含む。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果素子を備え、 前記磁気抵抗効果素子は、 第1強磁性体と、 第2強磁性体と、 前記第1強磁性体及び前記第2強磁性体の間に設けられた第1非磁性体と、 前記第1強磁性体に対して、前記第1非磁性体と反対側に設けられた第2非磁性体と、 前記第2非磁性体に対して、前記第1強磁性体と反対側に設けられた第3非磁性体と、 を含み、 前記第2非磁性体は、希土類酸化物を含み、 前記第3非磁性体は、ルテニウム(Ru)又はモリブデン(Mo)を含む、 磁気記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01L27/105 447 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 S

Fターム (50件)：

4M119AA11 ,  4M119AA15 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD37 ,  4M119DD43 ,  4M119DD52 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE28 ,  4M119FF06 ,  4M119FF13 ,  4M119FF17 ,  4M119JJ09 ,  4M119JJ13 ,  5F092AA05 ,  5F092AA12 ,  5F092AB07 ,  5F092AC12 ,  5F092AC22 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB02 ,  5F092BB03 ,  5F092BB05 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB16 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC07 ,  5F092BC17 ,  5F092BC18 ,  5F092BE04 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE24 ,  5F092CA09 ,  5F092DA04 ,  5F092EA05 ,  5F092EA06