特許
J-GLOBAL ID：202003013022649360
電気光学装置、および電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
渡辺 和昭
, 磯部 光宏
, 仲井 智至
, 松岡 宏紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-025617
公開番号（公開出願番号）：特開2017-146336
特許番号：特許第6746937号
出願日： 2016年02月15日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の方向に延在する複数の第1の導電層と、
第2の方向に延在する複数の第2の導電層と、
前記複数の第1の導電層と前記複数の第2の導電層との各々の交差に対応して配列された複数の副画素と、を備え、
前記複数の副画素は、前記第1の方向に隣接した表示色の異なる複数の副画素を一画素単位とし、
前記複数の副画素の各々は、
発光素子に対応して設けられた第3の導電層と、
少なくとも駆動トランジスターを含む複数のトランジスターと、
容量と、を備え、
前記複数のトランジスターは、前記第1の方向の幅が前記第2の方向の幅よりも狭い画素回路領域の内部に配置され、
前記一画素単位に含まれる前記複数の副画素のうち、少なくとも1つの副画素の前記第3の導電層は、前記第1の方向の幅が前記第2の方向の幅よりも広く、かつ、前記一画素単位に含まれる前記複数の副画素の各々に含まれる前記駆動トランジスターと重なり、
前記複数の第1の導電層のうち1つの導電層は、前記一画素単位に含まれる前記複数の副画素の各々に含まれる前記複数のトランジスターの少なくとも1つと電気的に接続され、
前記一画素単位に含まれる前記複数の副画素のうち、少なくとも1つの副画素の前記第3の導電層と、前記一画素単位に含まれる前記複数の副画素の各々に含まれる前記駆動トランジスターとの間に、平面視において、前記一画素単位に含まれる前記複数の副画素の各々に含まれる前記駆動トランジスターと重なるように前記第1の方向に延在する第4の導電層が設けられ、
前記一画素単位に含まれる前記複数のトランジスターのうち、
前記第1の方向の最も一方向側に位置するトランジスターの能動領域の前記第1の方向の最も一方向側の辺を通る第1の仮想線と、
前記第1の方向の最も他方向側に位置する前記容量の能動領域の前記第1の方向の最も他方向側の辺を通る第2の仮想線と、
前記第2の方向の最も一方向側に位置するトランジスターの能動領域の前記第2の方向の最も一方向側の辺を通る第3の仮想線と、
前記第2の方向の最も他方向側に位置するトランジスターの能動領域の前記第2の方向の最も他方向側の辺を通る第4の仮想線と、により囲まれる領域をトランジスターの配置領域と規定し、
前記一画素単位に含まれる複数の前記第3の導電層のうち、
前記第1の方向の最も一方向側に位置する第3の導電層の前記第1の方向の最も一方向側の辺を通る第5の仮想線と、
前記第1の方向の最も他方向側に位置する第3の導電層の前記第1の方向の最も他方向側の辺を通る第6の仮想線と、
前記第2の方向の最も一方向側に位置する第3の導電層の前記第2の方向の最も一方向側の辺を通る第7の仮想線と、
前記第2の方向の最も他方向側に位置する第3の導電層の前記第2の方向の最も他方向側の辺を通る第8の仮想線と、により囲まれる領域を第3の導電層の配置領域と規定した
とき、
平面視において、前記第6の仮想線は、前記第2の導電層と重なるように前記第2の方向に沿って延在し、
平面視において、前記第5の仮想線は、前記第1の仮想線よりも前記第1の方向の一方向側に位置し、
平面視において、前記第7の仮想線は、前記第3の仮想線よりも前記第2の方向の一方向側に位置し、
前記第3の導電層の配置領域の中心位置は、前記トランジスターの配置領域の中心位置と異なっている、
ことを特徴とする電気光学装置。
IPC (4件)：
G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/12 ( 200 6.01)
, H05B 33/26 ( 200 6.01)
G09F 9/30 338
, H05B 33/14 A
, H05B 33/12 B
, H05B 33/26 Z
, G09F 9/30 365
