特許

J-GLOBAL ID：202003013078918940

処理方法

発明者： 伊藤 清仁 ,  森北 信也 ,  谷口 謙介 ,  中谷 理子 ,  本田 昌伸
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-155797
公開番号（公開出願番号）：特開2020-031138
出願日： 2018年08月22日
公開日（公表日）： 2020年02月27日
要約：

【課題】凹部への埋め込みが容易な形状を形成する処理方法を提供する。【解決手段】処理方法は、凹部が形成された下地膜に有機膜を埋め込む埋込工程と、前記埋込工程の後に、前記下地膜の上部の少なくとも一部が露出するまでエッチングするエッチング工程と、を含む。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

凹部が形成された下地膜に有機膜を埋め込む埋込工程と、 前記埋込工程の後に、前記下地膜の上部の少なくとも一部が露出するまでエッチングするエッチング工程と、 を含む処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 105A

Fターム (45件)：

2G084AA02 ,  2G084AA03 ,  2G084AA05 ,  2G084BB11 ,  2G084CC05 ,  2G084CC12 ,  2G084CC13 ,  2G084CC14 ,  2G084CC15 ,  2G084CC17 ,  2G084CC33 ,  2G084DD02 ,  2G084DD15 ,  2G084DD23 ,  2G084DD24 ,  2G084DD37 ,  2G084DD38 ,  2G084FF15 ,  2G084FF20 ,  5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA09 ,  5F004BA14 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA03 ,  5F004EA05 ,  5F004EA27 ,  5F004EA37 ,  5F004EB01 ,  5F004FA08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-340441   出願人：日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
• 特開平2-012827
  

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-340441   出願人：日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
• 特開平2-012827