特許

J-GLOBAL ID：202003013251015706

固体撮像装置、および電子機器

発明者： 田中 晴美
出願人/特許権者： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
代理人 (3件)： 西川 孝 ,  稲本 義雄 ,  三浦 勇介
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018010377
公開番号（公開出願番号）：WO2018-180569
出願日： 2018年03月16日
公開日（公表日）： 2018年10月04日
要約：

本技術は、上面に遮光体基板を積層したセンサ基板の出力にゴーストノイズが出現することを抑止することができるようにする固体撮像装置、および電子機器に関する。本技術の第1の側面である固体撮像装置は、少なくとも第1の画素領域と第2の画素領域を有するセンサ基板と、前記センサ基板の上面に積層され、複数の導光路を囲う遮光体を有する遮光体基板とを備え、前記複数の導光路は、第1の画素領域に対応する第1の導光路と、第2の画素領域に対応する第2の導光路を少なくとも含み、第1の画素領域に含まれる複数の画素が、第1の画素領域におけるそれぞれの画素位置に基づいた遮光構造を有し、第2の画素領域に含まれる複数の画素が、第2の画素領域におけるそれぞれの画素位置に基づいた遮光構造を有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSイメージセンサに適用できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1の画素領域と第2の画素領域を有するセンサ基板と、 前記センサ基板の上面に積層され、複数の導光路を囲う遮光体を有する遮光体基板と を備え、 前記複数の導光路は、第1の画素領域に対応する第1の導光路と、第2の画素領域に対応する第2の導光路を少なくとも含み、 第1の画素領域に含まれる複数の画素は、第1の画素領域におけるそれぞれの画素位置に基づいた遮光構造を有し、 第2の画素領域に含まれる複数の画素は、第2の画素領域におけるそれぞれの画素位置に基づいた遮光構造を有する 固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/357 ,  H04N 5/369

FI (4件)：

H01L27/146 D ,  H01L27/146 A ,  H04N5/357 ,  H04N5/369

Fターム (24件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA04 ,  4M118CA25 ,  4M118CA26 ,  4M118GA02 ,  4M118GA09 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  4M118GD11 ,  4M118HA24 ,  4M118HA25 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5C024CX01 ,  5C024EX42 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GZ36