炭化ケイ素スーパージャンクションパワー半導体デバイスおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-541138
公開番号（公開出願番号）：特表2020-511773
出願日： 2018年03月02日
公開日（公表日）： 2020年04月16日
要約：

パワー半導体デバイスは、第1の主面(3)と第2の主面(4)とを有する半導体ウェハ(101)を備える。半導体ウェハ(101)は、第1の導電型を有する第1の半導体層(2)と、複数の柱状または板状の第1の半導体領域(5)とを含み、第1の半導体領域(5)は、第1の主面(3)および第2の主面(4)に対して垂直な垂直方向に、第1の主面(3)と第2の主面(4)との間の第1の半導体層(2)の中に延在している。第1の半導体領域(5)は、第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する。第1の半導体層(2)は、六方晶炭化ケイ素の層である。第1の半導体領域(5)は、3Cポリタイプ炭化ケイ素の領域である。

請求項（抜粋）：

スーパージャンクションパワー半導体デバイスであって、第1の主面(3;33;43;53;63)と第2の主面(4;34;44;54;64)とを有する半導体ウェハ(101;301;401;501;601)を備え、前記半導体ウェハ(101;301;401;501;601)は、第1の導電型を有する第1の半導体層(2;32;42;52)と、複数の柱状または板状の第1の半導体領域(5)とを含み、前記第1の半導体領域(5)は、前記第1の主面(3;33;43;53;63)および前記第2の主面(4;34;44;54;64)に対して垂直な垂直方向に、前記第1の主面(3;33;43;53;63)と前記第2の主面(4;34;44;54;64)との間の前記第1の半導体層(2;32;42;52)の中に延在し、前記第1の半導体領域(5)は、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有し、前記第1の半導体層(2;32;42;52)は、六方晶炭化ケイ素の層であり、前記第1の半導体領域(5)は、3Cポリタイプ立方晶炭化ケイ素の領域であることを特徴とする、スーパージャンクションパワー半導体デバイス。

IPC (11件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 21/329 , H01L 29/872 , H01L 29/06 , H01L 29/47 , H01L 21/28 , H01L 21/336 , H01L 29/739

FI (19件)：

H01L29/78 652H , H01L29/78 652T , H01L29/91 D , H01L29/91 E , H01L29/91 B , H01L29/86 301F , H01L29/86 301P , H01L29/86 301D , H01L29/06 301D , H01L29/06 301V , H01L29/91 K , H01L29/48 F , H01L29/48 P , H01L29/48 D , H01L21/28 301B , H01L29/78 653A , H01L29/78 658E , H01L29/78 655A , H01L29/91 F

Fターム (9件)：

4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104CC03 , 4M104DD96 , 4M104FF02 , 4M104FF32 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG09

引用特許：

出願人引用 (1件)

化合物半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-086844 出願人：コバレントマテリアル株式会社

審査官引用 (1件)

化合物半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-086844 出願人：コバレントマテリアル株式会社

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