セラミックス回路基板及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：園田・小林特許業務法人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018020489
公開番号（公開出願番号）：WO2018-221492
出願日： 2018年05月29日
公開日（公表日）： 2018年12月06日
要約：

【課題】耐熱サイクル特性に優れたセラミックス回路基板を提供する。【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の主面に、接合ろう材を介して金属板が接合されており、前記接合ろう材は金属成分として、Ag93.0〜99.4質量部、Cu0.1〜5.0質量部、Sn0.5〜2.0質量部の合計100質量部に対して、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブから選択される少なくとも1種の活性金属を0.5〜4.0質量部含有し、セラミックス基板と金属板との間の接合ろう材層組織中のCuリッチ相の平均サイズが3.5μm以下であり、個数密度が0.015個/μm2以上であることを特徴とするセラミックス回路基板とする。接合温度855〜900°C、保持時間10〜60分で接合することを含むセラミックス回路基板の製造方法とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

セラミックス基板の少なくとも一方の主面に、接合ろう材を介して金属板が接合されており、前記接合ろう材は金属成分として、Ag93.0〜99.4質量部、Cu0.1〜5.0質量部、Sn0.5〜2.0質量部の合計100質量部に対して、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブから選択される少なくとも1種の活性金属を0.5〜4.0質量部含有し、セラミックス基板と金属板との間の接合ろう材層組織中のCuリッチ相の平均サイズが3.5μm以下であり、個数密度が0.015個/μm2以上であることを特徴とするセラミックス回路基板。

IPC (6件)：

C04B 37/02 , H05K 1/09 , B23K 1/00 , B23K 1/19 , H01L 23/13 , H01L 23/12

FI (6件)：

C04B37/02 B , H05K1/09 A , B23K1/00 330E , B23K1/19 H , H01L23/12 C , H01L23/12 D

Fターム (27件)：

4E351AA07 , 4E351AA09 , 4E351AA11 , 4E351BB01 , 4E351BB29 , 4E351BB35 , 4E351BB38 , 4E351CC19 , 4E351CC31 , 4E351DD04 , 4E351DD05 , 4E351DD11 , 4E351DD12 , 4E351DD14 , 4E351DD51 , 4E351GG01 , 4E351GG02 , 4E351GG03 , 4E351GG04 , 4G026BA17 , 4G026BB22 , 4G026BE01 , 4G026BF16 , 4G026BF44 , 4G026BF52 , 4G026BG02 , 4G026BH07

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