特許
J-GLOBAL ID：202003013375057598

成膜方法及び成膜装置

発明者：
兼村 瑠威

兼村 瑠威 について

, 
林 寛之

林 寛之 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-153703
公開番号（公開出願番号）：特開2020-027926
出願日： 2018年08月17日
公開日（公表日）： 2020年02月20日
要約：
【課題】凸部の上部に選択的にシリコン膜を成膜できる技術を提供する。【解決手段】基板101の上に形成された複数の凸部102の上部に選択的にシリコン膜を成膜する成膜方法であって、基板にシリコン含有ガスを供給し、凸部の側壁の下部よりも上部の膜厚が厚くなるようにシリコン膜104を成膜する第1成膜工程と、第1成膜工程の後、基板にエッチングガスを供給し、凸部の上面にシリコン膜を残存させると共に凸部の側壁のシリコン膜を除去するエッチング工程と、エッチング工程の後、基板にシリコン含有ガスを供給し、凸部の側壁の下部よりも上部の膜厚が厚くなるようにシリコン膜を成膜する第2成膜工程と、を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された複数の凸部の上部に選択的にシリコン膜を成膜する成膜方法であって、 前記基板にシリコン含有ガスを供給し、前記凸部の側壁の下部よりも上部の膜厚が厚くなるようにシリコン膜を成膜する第1成膜工程と、 前記第1成膜工程の後、前記基板にエッチングガスを供給し、前記凸部の上面に前記シリコン膜を残存させると共に前記凸部の側壁の前記シリコン膜を除去するエッチング工程と、 前記エッチング工程の後、前記基板にシリコン含有ガスを供給し、前記凸部の側壁の下部よりも上部の膜厚が厚くなるようにシリコン膜を成膜する第2成膜工程と、 を有する、 成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  C23C 16/24
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L21/302 201A ,  C23C16/24
Fターム (46件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA30 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F004BA19 ,  5F004BB16 ,  5F004BB19 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DB01 ,  5F004EB01 ,  5F004FA08 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB04 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AD01 ,  5F045AE01 ,  5F045AF03 ,  5F045AF08 ,  5F045AF12 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EK06 ,  5F045HA13
引用特許：
審査官引用 (7件)
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