特許
J-GLOBAL ID:202003013577167140
低侵襲での組織信号計測方法
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
梶 俊和
, 中村 英子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-236506
公開番号(公開出願番号):特開2020-096720
出願日: 2018年12月18日
公開日(公表日): 2020年06月25日
要約:
【課題】被験組織へのダメージを低減することができ、被験組織からの電気信号を良好に計測する組織信号計測方法を提供すること。【解決手段】基材2と、基材2から突出して形成された低侵襲のプローブ3と、を有する刺入デバイス1を被験組織(脳B)に刺入して被験組織からの電気信号を計測する低侵襲での組織信号計測方法である。プローブ3を刺入する際の被験組織の第1位置P1近傍における歪深さが20μm以下となるようにプローブ3を刺入し、かつ、被験組織の第1位置P1に対する刺入深さが10μm以上となるまでプローブ3を刺入する第1刺入工程、第1位置P1における電気信号を計測する第1計測工程、及び、第1計測工程で計測された電気信号を評価する評価工程、を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基材と、
前記基材から突出して形成された低侵襲のプローブと、を有する刺入デバイスを被験組織に刺入して前記被験組織からの電気信号を計測する低侵襲での組織信号計測方法であって、
前記プローブを刺入する際の前記被験組織の第1位置近傍における歪深さが20μm以下となるように前記プローブを刺入し、かつ、前記被験組織の第1位置に対する刺入深さが10μm以上となるまで前記プローブを刺入する第1刺入工程、
前記第1位置における電気信号を計測する第1計測工程、及び、
前記第1計測工程で計測された電気信号を評価する評価工程、を有する低侵襲での組織信号計測方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (2件):
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