特許
J-GLOBAL ID：202003013714113850
薄膜トランジスタアレイパネル及び導電構造
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
TRY国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-536260
特許番号：特許第6716704号
出願日： 2016年12月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 薄膜トランジスタアレイパネルであって、
ゲート電極を含む第一導電層と、
前記ゲート電極の上方に設置され且つこれと絶縁されているチャネル層と、
前記チャネル層上に設置された第二導電層と、を含み、前記第二導電層は、ソース電極とドレイン電極を定義する多層部分を含み、前記第二導電層の前記多層部分は少なくとも、
前記チャネル層と電気接続するように設置された第一サブレイヤと、
前記第一サブレイヤ上に設置された第二サブレイヤと、
前記第二サブレイヤ上に設置された第三サブレイヤと、を備え、
前記各第三及び前記第一サブレイヤには、インジウム及び亜鉛を含む金属酸化物材料が含まれ、
前記第一サブレイヤ中の前記亜鉛の原子含有量に対する前記インジウムの原子含有量の比率は、前記第三サブレイヤ中の前記亜鉛の原子含有量に対する前記インジウムの原子含有量の比率より大きく、
前記第一と前記第三サブレイヤとの間の前記亜鉛の原子含有量に対する前記インジウムの原子含有量の比率の差異は、前記第二導電層における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成される間隙に関連する側面のエッチングプロファイルに影響し、
前記第三サブレイヤ中の関連する間隙の幅は前記第一サブレイヤ中の間隙の幅より広いことを特徴とする薄膜トランジスタアレイパネル。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
, H01L 29/45 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 616 T
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/50 M
, H01L 29/52
, H01L 29/54
