特許
J-GLOBAL ID：202003013714627277
歪補償回路、歪補償方法及び送信装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
家入 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-106773
公開番号（公開出願番号）：特開2017-212702
特許番号：特許第6720697号
出願日： 2016年05月27日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】電力増幅器のメモリレス非線形とメモリ効果によって発生する歪を補償するメモリレス非線形補償/メモリ効果補償回路と、
その後段に前記電力増幅器の熱応答によって生じる熱メモリ効果を補償する熱メモリ効果補償回路と、を備え、
前記熱メモリ効果補償回路は、前記メモリレス非線形補償/メモリ効果補償回路の出力信号に対する振幅補償係数を算出するために、回路の出力信号を入力振幅に対して正規化する正規化演算部と、
前記正規化演算部からの入力振幅信号と、熱メモリ効果の重みを示す第1のパラメータと、に基づいて動作するIIRフィルタ部と、
前記IIRフィルタ部の出力信号と、前記熱メモリ効果を補償するための振幅補償係数を算出するための第2のパラメータと、に基づいて振幅補償係数を算出するための係数演算部と、
前記係数演算部の出力を前記正規化演算部において入力振幅に対して正規化した振幅補償係数を前記メモリレス非線形補償/メモリ効果補償回路の出力信号に乗算する係数乗算部と、を備え、
前記IIRフィルタ部と前記係数演算部とは、周期が、前記メモリレス非線形補償/メモリ効果補償回路のサンプリングに用いる第1のサンプリングクロックの周期よりも長く、前記第1のサンプリングクロックの周期に同期した整数倍の周期で、かつ、熱メモリ効果の時定数よりも短い、第2のサンプリングクロックに基づいて動作する、
歪補償回路。
IPC (2件)：
H03F 1/32 ( 200 6.01)
, H03F 3/24 ( 200 6.01)
