特許

J-GLOBAL ID：202003014149085380

半導体装置およびその製造方法

発明者： 中柴 康▲隆▼ ,  飯田 哲也 ,  波岡 誠悟
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-237021
公開番号（公開出願番号）：特開2020-098292
出願日： 2018年12月19日
公開日（公表日）： 2020年06月25日
要約：

【課題】光導波路を有する半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】半導体装置SD1は、第1絶縁層IL1、グレーティングカプラGC、第2絶縁層IL2および光屈折膜LR1を有する。グレーティングカプラGCは、第1絶縁層IL1上に形成されたコア部GCCと、コア部GCC上に形成されており、かつ互いに並列している複数の突部PJと、を有する。第2絶縁層IL2は、第1絶縁層IL1上に形成されており、かつグレーティングカプラGCからの出射光の光路上に形成された凹部RP1を有する。光屈折膜LR1は、凹部RP1内に形成されており、かつ第2絶縁層IL2を構成する材料の屈折率より大きい屈折率を有する材料で構成されている。光屈折膜LR1の下面は、光屈折膜LR1の上面に対して傾斜している。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1絶縁層と、 前記第1絶縁層上に形成されたコア部と、前記コア部上に形成されており、かつ互いに並列している複数の突部と、を有するグレーティングカプラと、 前記第1絶縁層上に形成されており、かつ前記グレーティングカプラからの出射光の光路上に形成された凹部を有する第2絶縁層と、 前記凹部内に形成されており、かつ前記第2絶縁層を構成する材料の屈折率より大きい屈折率を有する材料で構成された光屈折膜と、 を有し、 前記光屈折膜の下面は、前記光屈折膜の上面に対して傾斜している、半導体装置。

IPC (5件)：

G02B 6/34 ,  G02B 6/30 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/32 ,  G02B 6/13

FI (5件)：

G02B6/34 ,  G02B6/30 ,  G02B6/122 ,  G02B6/32 ,  G02B6/13

Fターム (32件)：

2H137AB01 ,  2H137AB09 ,  2H137BA34 ,  2H137BA52 ,  2H137BA53 ,  2H137BA55 ,  2H137BC03 ,  2H137BC25 ,  2H137CC02 ,  2H137CC03 ,  2H137DB09 ,  2H137EA02 ,  2H137EA04 ,  2H137EA05 ,  2H137EA06 ,  2H147BC05 ,  2H147BD11 ,  2H147BE26 ,  2H147BG04 ,  2H147CA11 ,  2H147CC12 ,  2H147CC13 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA15D ,  2H147EA16A ,  2H147EA16B ,  2H147FA05 ,  2H147FC03 ,  2H147FC08 ,  2H147FD04