特許

J-GLOBAL ID：202003014898623895

半導体装置及び電圧設定方法

発明者： 川上 史樹
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-187311
公開番号（公開出願番号）：特開2020-057690
出願日： 2018年10月02日
公開日（公表日）： 2020年04月09日
要約：

【課題】半導体装置を構成する要素の劣化を抑制することができる半導体装置及び電圧設定方法を提供する。【解決手段】半導体装置1は、論理ブロック2と、前記論理ブロック2の動作を診断する診断部3と、前記論理ブロック2が正常に動作すると前記診断部3により診断される下限の電圧値を用いて、前記論理ブロック2を動作させるための電圧値を設定する電圧制御部4とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

論理ブロックと、 前記論理ブロックの動作を診断する診断部と、 前記論理ブロックが正常に動作すると前記診断部により診断される下限の電圧値を用いて、前記論理ブロックを動作させるための電圧値を設定する電圧制御部と を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  G01R 31/28

FI (2件)：

H01L27/04 T ,  G01R31/28 V

Fターム (21件)：

2G132AA03 ,  2G132AB01 ,  2G132AB06 ,  2G132AB20 ,  2G132AC03 ,  2G132AD06 ,  2G132AK07 ,  2G132AK29 ,  5F038AZ08 ,  5F038BB01 ,  5F038BB04 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF11 ,  5F038DT07 ,  5F038DT08 ,  5F038DT09 ,  5F038DT12 ,  5F038DT16 ,  5F038DT19 ,  5F038EZ20