特許
J-GLOBAL ID：202003014914432035
電気二重層キャパシタ用炭素材料の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
須田 正義
, 村澤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-219224
公開番号（公開出願番号）：特開2020-088119
出願日： 2018年11月22日
公開日（公表日）： 2020年06月04日
要約：
【課題】従来の窒素ドープ法と比べて簡便、かつ高電圧充電耐性が改善された、電気二重層キャパシタ用炭素材料の製造方法を提供する。【解決手段】製造方法は、多孔質炭素とアミノ基を有する含窒素複素環式化合物とを8:1〜1:4の質量比で混合することにより、多孔質炭素と前記アミノ基を有する含窒素複素環式化合物との混合物を得る工程と、混合物を不活性ガス雰囲気下熱処理して、多孔質の表面に窒素原子を導入する工程、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
多孔質炭素とアミノ基を有する含窒素複素環式化合物とを8:1〜1:4の質量比で混合することにより、前記多孔質炭素と前記アミノ基を有する含窒素複素環式化合物との混合物を得る工程と、前記混合物を不活性ガス雰囲気下熱処理して、前記多孔質の表面に窒素原子を導入する工程、を含む電気二重層キャパシタ用炭素材料の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
5E078AA04
, 5E078AA14
, 5E078AB02
, 5E078BA13
, 5E078BB02
, 5E078BB03
