特許

J-GLOBAL ID：202003015206742381

パターニングプロセス制御方法、デバイス製造方法

発明者： ヴァン ドンゲン,ジェロエン ,  マク ナマラ,エリオット,ゲラルド ,  ヒンネン,パウル,クリスティアーン ,  ヨチェムセン,マリヌス
出願人/特許権者： エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
代理人 (4件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-510516
公開番号（公開出願番号）：特表2020-534558
出願日： 2018年08月08日
公開日（公表日）： 2020年11月26日
要約：

パターニングプロセス制御方法が開示される。1つの配置では、基板上の構造のターゲット層を通るエッチングパスにおける傾斜の測定から生じる傾斜データが取得される。傾斜は、ターゲット層の平面に対する垂線からのエッチングパスの方向における偏差を表す。傾斜データは、さらなる層にパターンを形成するために使用されるパターニングプロセスを制御するために使用される。

請求項（抜粋）：

基板上の構造のターゲット層を通るエッチングパスにおける傾斜の測定による傾斜データを取得することであって、前記傾斜が、前記ターゲット層の平面に対する垂線からの前記エッチングパスの方向における偏差を表す、取得することと、 前記傾斜データを使用して、さらなる層にパターンを形成するために使用されるパターニングプロセスを制御することと を含む、パターニングプロセス制御方法。

IPC (3件)：

G03F 7/20 ,  G03F 9/00 ,  G01B 11/26

FI (4件)：

G03F7/20 501 ,  G03F7/20 521 ,  G03F9/00 H ,  G01B11/26 G

Fターム (32件)：

2F065AA35 ,  2F065CC17 ,  2F065FF41 ,  2F065GG03 ,  2F065HH08 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2H197AA05 ,  2H197AA09 ,  2H197AA12 ,  2H197AA29 ,  2H197BA09 ,  2H197BA10 ,  2H197BA17 ,  2H197CA03 ,  2H197CA06 ,  2H197CA08 ,  2H197CA09 ,  2H197CA10 ,  2H197CC05 ,  2H197CD12 ,  2H197CD13 ,  2H197CD48 ,  2H197DC06 ,  2H197EB02 ,  2H197EB05 ,  2H197GA01 ,  2H197HA03 ,  2H197JA17 ,  2H197JA22 ,  2H197JA23

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-079837   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 散乱計測定の改良システムおよび応用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-530618   出願人：ケーエルエー-テンカーコーポレイション
• 微細構造の作成方法及び回折光学素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-312480   出願人：キヤノン株式会社
• メトロロジー方法、ターゲット、及び基板
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2017-511601   出願人：エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.