特許
J-GLOBAL ID：202003015346947927

ダイナミックランダムアクセスメモリ及びその製造方法

発明者：
竹迫 壽晃

竹迫 壽晃 について

, 
真鍋 和孝

真鍋 和孝 について


出願人/特許権者：
華邦電子股▲ふん▼有限公司

華邦電子股▲ふん▼有限公司 について


代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  杉村 光嗣 ,  鈴木 裕貴
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-010145
公開番号（公開出願番号）：特開2019-029639
特許番号：特許第6684294号
出願日： 2018年01月25日
公開日（公表日）： 2019年02月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、 前記基板中に位置し、第1の方向に沿って列状に配置された複数の活性領域を前記基板において定義する、分離構造と、 前記基板中に位置し、前記第1の方向に沿って延び、前記複数の活性領域と前記分離構造を跨ぐ、埋め込みワード線構造と、 前記活性領域と前記ワード線構造との交差領域に位置し、前記第1の方向に沿って列状に配置され、前記埋め込みワード線構造により覆い囲まれる、複数の第1のフィン構造とを含み、 前記複数の活性領域は前記分離構造により囲まれ、前記第1のフィン構造の底部はその下方の前記活性領域の前記基板から離れ、前記第1のフィン構造の下方の前記活性領域の前記基板に隣接した前記分離構造は前記第1のフィン構造の前記底部とその下方の前記活性領域の前記基板との間まで延びない、ダイナミックランダムアクセスメモリ。
IPC (2件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 27/108 671 B ,  H01L 27/108 621 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM