特許
J-GLOBAL ID：202003015535656445
ハードコート層付高分子基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
青木 篤
, 三橋 真二
, 渡辺 陽一
, 中島 勝
, 武居 良太郎
, 塩川 和哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-540939
特許番号：特許第6715849号
出願日： 2016年09月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 厚み1〜20mmの高分子基板、およびその表面上のハードコート層を具備しているハードコート層付高分子基板であって、
上記ハードコート層が、
上記高分子基板の表面上に積層されており、多官能アクリレート10〜90重量部、無機酸化物微粒子および/または珪素化合物加水分解縮合物90〜10重量部を含み、かつ厚みが1〜20μmである、下地硬化層と、
上記高分子基板と反対側で上記下地硬化層に直接に接しており、有機珪素化合物を原料として用いたPE-CVD法によって形成され、かつ下記(a)〜(e)のすべての要件を満たす、酸化珪素層と
を具備してなる、ハードコート層付高分子基板:
(a)上記酸化珪素層の膜厚が3.5〜9.0μmの範囲にあること、
(b)最大荷重1mN条件でのナノインデンテーション測定による上記酸化珪素層の表面の最大押し込み深さが、150nm以下であること、
(c)上記酸化珪素層が積層されている面が凹となる押し込み変位を与える上記ハードコート層付高分子基板の3点曲げ試験において、下記式(1)で定義される上記酸化珪素層の限界圧縮率Kの値が0.975以下であること:
K=(R-D/2)/R-(0.00215×d) ...式(1)
(ここで、
Dは、ハードコート層付高分子基板の全体厚み(mm)、
dは、酸化珪素層の膜厚(μm)、
Rは、3点曲げ試験中に加重印加の中心支点位置に予め引いた切り込み線(剥離開始線)から上記酸化珪素層が剥離を開始する時の、上記ハードコート層付高分子基板の曲率半径(mm))、
(d)酸化珪素層の波数930cm-1と1020cm-1の赤外線吸光度の比(α930/α1020)が、0.30以下であること、
(e)酸化珪素層の波数1280cm-1と1020cm-1の赤外線吸光度の比(α1280/α1020)が、0.002〜0.020の範囲にあること。
IPC (3件)：
B32B 9/00 ( 200 6.01)
, C23C 16/40 ( 200 6.01)
, C23C 16/50 ( 200 6.01)
B32B 9/00 A
, C23C 16/40
, C23C 16/50
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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