特許
J-GLOBAL ID：202003015602828361
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
家入 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-074187
公開番号（公開出願番号）：特開2017-188977
特許番号：特許第6634329号
出願日： 2016年04月01日
公開日（公表日）： 2017年10月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 エミッタ端子とコレクタ端子とゲート端子を有するパワー素子のゲートに接続されるゲート配線と、
前記ゲート配線と電源配線との間に接続された複数の第1の定電流回路と、
前記ゲート配線と接地配線との間に接続された複数の第2の定電流回路と、
前記複数の第1の定電流回路及び前記複数の第2の定電流回路から活性化する定電流回路を選択し、選択した定電流回路に対して活性化指示信号を出力する定電流回路選択回路と、
前記ゲート端子の電圧が第1の閾値電圧よりも高くなったことに応じて第1の電圧検出信号を第1の論理レベルから第2の論理レベルに切り替える第1の比較器と、
前記ゲート端子の電圧が第2の閾値電圧よりも高くなったことに応じて第2の電圧検出信号を前記第1の論理レベルから前記第2の論理レベルに切り替える第2の比較器と、
前記パワー素子のオンオフ状態を制御するゲート制御信号と、前記活性化指示信号と、前記第1の電圧検出信号と、前記第2の電圧検出信号と、に基づき前記定電流回路選択回路が選択した定電流回路のオンオフ状態を制御するゲートモード設定回路と、を有し、
前記ゲートモード設定回路は、
前記第1の電圧検出信号と前記第2の電圧検出信号が異なる論理レベルを示す期間は、前記定電流回路選択回路が選択した定電流回路のオンオフ状態を制御し、
前記第1の電圧検出信号と前記第2の電圧検出信号が同じ論理レベルを示す期間は、前記第1の電圧検出信号と前記第2の電圧検出信号が異なる論理レベルを示す期間よりもオン状態に制御する前記定電流回路の数を多くする半導体装置。
IPC (4件)：
H02M 1/08 ( 200 6.01)
, H02M 7/48 ( 200 7.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
H02M 1/08 A
, H02M 7/48 F
, H01L 27/04 H
