特許

J-GLOBAL ID：202003015831222132

半導体メモリおよびその製造方法

発明者： 山下 真司 ,  茨木 聡一郎
出願人/特許権者： キオクシア株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-173753
公開番号（公開出願番号）：特開2020-047714
出願日： 2018年09月18日
公開日（公表日）： 2020年03月26日
要約：

【課題】例えば、より不都合の少ない新規な構成を備えた半導体メモリおよびその製造方法を得る。【解決手段】実施形態の半導体メモリは、例えば、基板と、メモリ素子と、コントローラと、遮蔽層と、を備えている。基板は、第一面を有する。メモリ素子は、第一面上に実装される。コントローラは、第一面上に実装される。遮蔽層は、第一面上に設けられ、第一面とコントローラの少なくとも一部との間に位置され、アルファ線の飛来を抑制する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一面を有した基板と、 前記第一面上に実装されたメモリ素子と、 前記第一面上に実装されたコントローラと、 前記第一面上に設けられ、前記第一面と前記コントローラの少なくとも一部との間に位置され、アルファ線の飛来を抑制する遮蔽層と、 を備えた、半導体メモリ。

IPC (6件)：

H01L 27/10 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/00

FI (5件)：

H01L27/10 491 ,  H01L27/10 495 ,  H01L23/12 Q ,  H01L25/08 Z ,  H01L23/00 C

Fターム (5件)：

5F083BS00 ,  5F083GA18 ,  5F083JA60 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA23