特許
J-GLOBAL ID：202003016137907990
ガス分析方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 杉村 光嗣
, 川原 敬祐
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-244642
特許番号：特許第6638805号
出願日： 2018年12月27日
要約：
【課題】単結晶引き上げ装置内のガスに含まれるガス成分の濃度をより高精度に測定することができるガス分析方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶を引き上げる単結晶引き上げ装置内のガス成分の濃度を分析する方法であって、単結晶引き上げ装置から採取したサンプルガスを質量分析装置に導いて、サンプルガスに含まれる所定のガス成分に対して、その分子数と正相関する電流値を測定する第1工程と、予め求めておいた、質量分析装置内の圧力と所定のガス成分に対する電流値のバックグラウンド値との関係と、所定のガス成分に対する電流値の測定時の質量分析装置内の圧力とから、第1工程において測定された所定のガス成分に対する電流値を補正し、上記所定のガスの濃度を算出する第2工程とを含むことを特徴とする。
【選択図】図3
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン単結晶を引き上げる単結晶引き上げ装置内のガス成分の濃度を分析する方法であって、
前記単結晶引き上げ装置から採取したサンプルガスを質量分析装置に導いて、前記サンプルガスに含まれる所定のガス成分に対して、その分子数と正相関する電流値を測定する第1工程と、
予め求めておいた、前記質量分析装置内の圧力と前記所定のガス成分に対する電流値のバックグラウンド値との関係と、前記第1工程における前記所定のガス成分に対する電流値の測定時の前記質量分析装置内の圧力とから、前記第1工程において測定された前記所定のガス成分に対する電流値を補正し、前記所定のガスの濃度を算出する第2工程と、
を含むことを特徴とするガス分析方法。
IPC (3件)：
G01N 27/62 ( 200 6.01)
, C30B 29/06 ( 200 6.01)
, C30B 15/00 ( 200 6.01)
G01N 27/62 V
, G01N 27/62 D
, C30B 29/06 502 Z
, C30B 15/00 Z
