特許
J-GLOBAL ID:202003016212895544
実装装置および半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-196687
公開番号(公開出願番号):特開2020-065004
出願日: 2018年10月18日
公開日(公表日): 2020年04月23日
要約:
【課題】ボンディング対象の半導体チップを適切に加熱できる実装装置、および、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ12を、基板30または他の半導体チップ12である被実装体にボンディングして半導体装置を製造する実装装置であって、基板30が載置されるステージ120と、ステージ120に対して相対移動が可能であり、半導体チップ12を前記被実装体にボンディングする実装ヘッド124と、ステージ120を透過するとともに、基板30または中間部材140を加熱する電磁波を出力する電磁波源132と、半導体チップ12に対する電磁波の強度分布を調整する調整機構とを有する照射ユニット150aと、を備え、前記ステージ120は、上面側に形成された第一層122を有し、第一層122は、面方向の熱抵抗が厚み方向の熱抵抗よりも大きい。【選択図】図5
請求項(抜粋):
半導体チップを、基板または他の半導体チップである被実装体にボンディングして半導体装置を製造する実装装置であって、
前記基板が直接、または、中間部材を介して載置される第一面と前記第一面と反対側の第二面とを有するステージと、
前記ステージに対して相対移動が可能であり、前記半導体チップを前記被実装体にボンディングする実装ヘッドと、
前記ステージを透過するとともに、前記基板または前記中間部材を加熱する電磁波を出力する電磁波源と、前記半導体チップに対する前記電磁波の強度分布を調整する調整機構とを有する照射ユニットと、
を備え、
前記ステージは、前記第一面側に形成された第一層を有し、
前記第一層は、面方向の熱抵抗が厚み方向の熱抵抗よりも大きい、
ことを特徴とする実装装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (4件):
5F044PP17
, 5F044PP19
, 5F044RR03
, 5F044RR12
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