半導体基板の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：正林真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-195932
公開番号（公開出願番号）：特開2020-006358
出願日： 2018年10月17日
公開日（公表日）： 2020年01月16日
要約：

【課題】不純物拡散成分を拡散させる対象である被拡散半導体基板の表面に、塗布型の拡散剤組成物を用いて、所望する程度に薄膜化された塗布膜を容易に形成できる、塗布膜を形成する方法と、当該方法により塗布膜を形成すること。【解決手段】不純物拡散成分を含有する拡散剤組成物をスピンコーターを用いて塗布して、不純物拡散成分を拡散させる対象である被拡散半導体基板上に塗布膜を形成する方法において、拡散剤組成物の塗布と、被拡散半導体基板上の拡散剤組成物からなる層上への有機溶剤の供給とを、スピンコーターが備える同一のカップ内において被拡散半導体基板をカップから取り出すことなく連続して行う。また、必要に応じて、前述の有機溶剤の供給を、カップ内で回転する被拡散半導体基板に対して、回転する前記被拡散半導体基板に対して相対的に水平に移動するノズルから行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

不純物拡散成分(A)を含有する拡散剤組成物をスピンコーターを用いて塗布して、前記不純物拡散成分(A)を拡散させる対象である被拡散半導体基板上に塗布膜を形成する方法であって、前記拡散剤組成物が、前記不純物拡散成分(A)としてホウ素化合物を含有し、且つ、加水分解によりシラノール基を生成し得るSi化合物を含まず、前記方法が、前記拡散剤組成物の塗布の後の、前記被拡散基板上の前記拡散剤組成物からなる層上への有機溶剤の供給を含み、前記拡散剤組成物の塗布と、前記有機溶剤の供給とが、前記スピンコーターが備える同一のカップ内において前記被拡散半導体基板を前記カップから取り出すことなく連続して行われる、方法。

IPC (5件)：

B05D 1/40 , H01L 21/225 , B05D 7/00 , B05D 7/24 , B05D 1/36

FI (5件)：

B05D1/40 A , H01L21/225 R , B05D7/00 H , B05D7/24 303A , B05D1/36 Z

Fターム (32件)：

4D075AC64 , 4D075AC88 , 4D075AC91 , 4D075AC92 , 4D075AC94 , 4D075AE03 , 4D075AE06 , 4D075BB21Z , 4D075BB38Z , 4D075BB49Z , 4D075BB76Z , 4D075CA47 , 4D075CA48 , 4D075DA06 , 4D075DA07 , 4D075DA08 , 4D075DB14 , 4D075DC21 , 4D075DC22 , 4D075EA05 , 4D075EC08 , 4D075EC30 , 4D075EC51 , 4F042AA07 , 4F042BA05 , 4F042BA08 , 4F042BA12 , 4F042EB05 , 4F042EB09 , 4F042EB11 , 4F042EB18 , 4F042EB24

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