特許
J-GLOBAL ID：202003018122837378
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-176852
公開番号（公開出願番号）：特開2018-201047
特許番号：特許第6700356号
出願日： 2018年09月21日
公開日（公表日）： 2018年12月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第1の窒化物絶縁層と、
前記第1の窒化物絶縁層上の第1の酸化物絶縁層と、
前記第1の酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、ソース電極層又はドレイン電極層と、
前記ソース電極層上又は前記ドレイン電極層上の第2の酸化物絶縁層と、
前記第2の酸化物絶縁層上の第2の窒化物絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、Inと、Gaと、Znと、を有し、
前記酸化物半導体層は、c軸配向した結晶を有し、
前記第1の酸化物絶縁層及び前記第2の酸化物絶縁層は、前記酸化物半導体層の構成元素から選択される一又は複数の金属元素を有し、
前記第1の窒化物絶縁層は、前記ゲート電極層と接する第1の領域と、前記第1の領域上に位置し、前記第1の酸化物絶縁層と接する第2の領域と、を有し、
前記第2の領域は、前記第1の領域よりも水素濃度が低いことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 617 T
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 620
, H01L 27/146 C
