特許
J-GLOBAL ID：202003018363033580
基板処理装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-197452
公開番号（公開出願番号）：特開2020-065019
出願日： 2018年10月19日
公開日（公表日）： 2020年04月23日
要約：
【課題】処理室内の圧力を制御する圧力制御バルブの機差を実質的に無くし、容易に同じプロセスを再現する。【解決手段】弁開度を検出するセンサ150と、センサが検出した弁開度、及び処理室内の真空圧力と真空圧力目標値との偏差に基づいて、弁開度を制御する弁開度制御信号を出力する第1制御回路122と、弁開度制御信号に基づいて、ピストンへの作動流体の供給を制御する電空制御信号を出力する第2制御回路131と、前記弁開度の上限が、物理的な全開よりも開度が小さい所定の全開となるように、第1制御回路もしくは第2制御回路を調整するスパン調整回路を有する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板を処理する処理室と、
前記処理室を排気する真空ポンプと、
前記処理室と前記真空ポンプとを接続する流路と、前記流路に形成されている弁座とを有するバルブボディと、
前記バルブボディに接続され、所定の軸方向に運動可能にピストンを収容するシリンダと、
前記ピストンに連結され、前記弁座への当接による前記流路の遮断、または弁開度に応じて前記弁座から離間される弁体と、
前記弁開度を検出するセンサと、
前記弁開度を制御する弁コントローラと、を備え、
前記弁コントローラは、
前記センサが検出した前記弁開度、及び前記処理室内の真空圧力と真空圧力目標値との偏差に基づいて、前記弁開度を制御する弁開度制御信号を出力する第1制御回路と、
前記弁開度制御信号に基づいて、前記ピストンへの作動流体の供給を制御する電空制御信号を出力する第2制御回路と、
前記弁開度の上限が物理的な全開よりも開度が小さい所定の全開となるように、前記第1制御回路もしくは前記第2制御回路を調整するスパン調整回路と、を有する基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (28件)：
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA18
, 4K030BA40
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030EA11
, 4K030FA10
, 4K030JA09
, 4K030KA28
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 5F045AA06
, 5F045AB33
, 5F045AC03
, 5F045AC12
, 5F045AE01
, 5F045BB10
, 5F045DP20
, 5F045DP28
, 5F045DQ05
, 5F045EE19
, 5F045EF03
, 5F045EG02
, 5F045EG06
, 5F045EK06
, 5F045GB06
