特許

J-GLOBAL ID：202003018526975138

弾性波装置、弾性波装置パッケージ、高周波フロントエンド回路及び通信装置

発明者： 小柳 卓哉 ,  岩本 英樹
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018008912
公開番号（公開出願番号）：WO2018-164209
出願日： 2018年03月08日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
要約：

圧電体を伝搬する第1の高次モードの応答を抑制することができる、弾性波装置を提供する。 シリコンで構成される支持基板2上に、酸化ケイ素膜3、圧電体4及びIDT電極5とが積層されている弾性波装置1。IDT電極5の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、支持基板2の厚みが、3λ以上である。圧電体4を伝搬する第1の高次モードの音速が、下記の式(2)から導出されるxの解V1,V2,V3のうちのV1により規定される、支持基板内を伝搬するバルク波の音速VSi=(V1)1/2と同じか、VSiよりも高速とされている。 Ax3+Bx2+Cx+D=0 ...式(2)

請求項（抜粋）：

シリコンで構成される支持基板と、 前記支持基板上に設けられた酸化ケイ素膜と、 前記酸化ケイ素膜上に設けられた圧電体と、 前記圧電体の一方主面上に設けられたIDT電極と、 を備え、 前記IDT電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記支持基板の厚みが3λ以上であり、 前記圧電体を伝搬する第1の高次モードの音速が、前記支持基板内を伝搬するバルク波の音速である下記の式(1)の音速VSiと同じか、または、前記音速VSiよりも高速とされている、弾性波装置。 VSi=(V1)1/2(m/秒) ...式(1) 式(1)における前記V1は、下記の式(2)の解である。 Ax3+Bx2+Cx+D=0 ...式(2) 式(2)において、A、B、C及びDは、それぞれ、下記の式(2A)〜(2D)で表される値である。 A=-ρ3 ...式(2A) B=ρ2(L11+L22+L33) ...式(2B) C=ρ(L212+L232+L312-L11・L33-L22・L33-L11・L22) ...式(2C) D=2・L21・L23・L31+L11・L22・L33-L312・L22-L11・L232-L212・L33 ...式(2D) ただし、式(2A)、式(2B)、式(2C)または式(2D)において、ρ=2.331(g/cm3)である。また、L11、L22、L33、L21、L31及びL23は、下記の式(3A)〜(3F)で表される値である。 L11=c11・a12+c44・a22+c44・a32 ...式(3A) L22=c44・a12+c11・a22+c44・a32 ...式(3B) L33=c44・a12+c44・a22+c11・a32 ...式(3C) L21=(c12+c44)・a2・a1 ...式(3D) L31=(c12+c44)・a1・a3 ...式(3E) L23=(c44+c12)・a3・a2 ...式(3F) ただし、式(3A)〜(3F)において、c11、c12、c44は、それぞれ、c11=1.674E+11(N/m2)、c12=6.523E+10(N/m2)、c44=7.957E+10(N/m2)である。また、a1、a2及びa3は、下記の式(4A)〜(4C)で表される値である。 a1=cos(φ)・cos(ψ)-sin(φ)・cos(θ)・sin(ψ) ...式(4A) a2=sin(φ)・cos(ψ)+cos(φ)・cos(θ)・sin(ψ) ...式(4B) a3=sin(θ)・sin(ψ) ...式(4C) なお、式(4A)〜(4C)におけるφ,θ及びψは、前記支持基板の結晶方位(φ,θ,ψ)における、φ,θ,ψである。

IPC (1件)：

H03H 9/25

FI (2件)：

H03H9/25 C ,  H03H9/25 A

Fターム (23件)：

5J097AA14 ,  5J097AA21 ,  5J097BB02 ,  5J097BB11 ,  5J097BB14 ,  5J097EE08 ,  5J097EE09 ,  5J097FF04 ,  5J097FF05 ,  5J097GG03 ,  5J097GG05 ,  5J097GG06 ,  5J097HA04 ,  5J097JJ03 ,  5J097JJ06 ,  5J097JJ09 ,  5J097KK05 ,  5J097KK07 ,  5J097KK09 ,  5J097KK10 ,  5J097LL04 ,  5J097LL06 ,  5J097LL08