特許
J-GLOBAL ID：202003018567027139

半導体装置

発明者：
平形 吉晴

平形 吉晴 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-144080
公開番号（公開出願番号）：特開2017-134382
特許番号：特許第6742845号
出願日： 2016年07月22日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁膜と、貫通電極と、端子と、回路と、第1の基材と、第2の基材と、樹脂層と、を有し、 前記第1の基材の全体は、可撓性を有し、 前記回路は、前記絶縁膜と前記第1の基材の間に配置されており、 前記回路は、複数のトランジスタを有し、 前記貫通電極は、前記絶縁膜の第1の面側から第2の面側へ貫通するように配置されており、 前記回路は、前記絶縁膜の第1の面側において、前記貫通電極と電気的に接続されており、 前記端子は、前記貫通電極と接するように、且つ、前記絶縁膜に一部が埋め込まれるように、前記絶縁膜の第2の面側に配置されており、 前記絶縁膜の第2の面側において、前記絶縁膜に覆われない領域で、前記端子はフレキシブルプリント基板と電気的に接続され、 前記樹脂層は、前記端子と前記フレキシブルプリント基板との電気的接続部分を覆うように配置されており、 前記樹脂層は、前記絶縁膜と前記第2の基材とに挟まれる領域を有し、 前記樹脂層は、前記複数のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有さない、半導体装置。
IPC (10件)：
G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  G09F 9/00 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H05B 33/14 ( 200 6.01) ,  H05B 33/06 ( 200 6.01) ,  H05B 33/22 ( 200 6.01) ,  H05B 33/02 ( 200 6.01) ,  H05B 33/10 ( 200 6.01)
FI (10件)：
G09F 9/30 330 ,  H01L 29/78 627 D ,  G09F 9/30 365 ,  G09F 9/00 366 G ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/14 Z ,  H05B 33/06 ,  H05B 33/22 Z ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/10
引用特許：
審査官引用 (3件)

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