ウェーハの加工方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：松本昂 , 岡本知広 , 笠原崇廣 , 岡本英哲 , 岡野貴之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-226356
公開番号（公開出願番号）：特開2020-092106
出願日： 2018年12月03日
公開日（公表日）： 2020年06月11日
要約：

【課題】Via電極が埋設されたウェーハを加工してデバイスチップを製造する工程を簡略化する。【解決手段】Via電極が埋設され、該Via電極を覆う第1の絶縁膜が形成されたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、該Via電極を覆う該第1の絶縁膜が裏面側に露出しない程度に該ウェーハを該裏面側から研削する研削ステップと、該ウェーハの該裏面をエッチングして該第1の絶縁膜で覆われた該Via電極を該裏面側に突出させる電極突出ステップと、該Via電極が突出した該ウェーハの裏面にプラズマ化した不活性ガスを供給し、該ウェーハの該裏面に歪み層を形成する歪み層形成ステップと、該ウェーハの該裏面に第2の絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、該Via電極と重なる領域において該第1の絶縁膜と、該第2の絶縁膜と、を除去し、該ウェーハの裏面側に露出したVia電極に接続する裏面側電極を形成する電極形成ステップと、を備える。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

交差する複数の分割予定ラインが表面に設定され、該分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成され、該各領域に厚さ方向に沿ったVia電極が埋設され、該Via電極を覆う第1の絶縁膜が形成されたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの該表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該ウェーハの該保護部材側をチャックテーブルで保持し、該Via電極を覆う該第1の絶縁膜が裏面側に露出しない程度に該ウェーハを該裏面側から研削する研削ステップと、研削ステップを実施した後、該ウェーハを第1の真空チャンバーに収容し、該ウェーハの裏面にプラズマ化した第1のエッチングガスを供給して該ウェーハの該裏面をエッチングして該第1の絶縁膜で覆われた該Via電極を該裏面側に突出させる電極突出ステップと、該電極突出ステップの後、該Via電極が突出した該ウェーハの該裏面にプラズマ化した不活性ガスを供給し、該ウェーハの該裏面に歪み層を形成する歪み層形成ステップと、該歪み層形成ステップの後、該歪み層が形成された該ウェーハの該裏面に第2の絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、該絶縁膜形成ステップの後、該Via電極と重なる領域において該第1の絶縁膜と、該第2の絶縁膜と、を除去し、該ウェーハの該裏面側に露出した該Via電極に接続する裏面側電極を形成する電極形成ステップと、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。

IPC (6件)：

H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/304 , H01L 21/306 , H01L 21/322

FI (4件)：

H01L21/88 J , H01L21/304 631 , H01L21/302 105B , H01L21/322 J

Fターム (34件)：

5F004BA04 , 5F004BD03 , 5F004DA00 , 5F004DB01 , 5F004EB03 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033JJ04 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033MM30 , 5F033QQ07 , 5F033QQ12 , 5F033QQ47 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033SS11 , 5F057AA02 , 5F057AA13 , 5F057BA21 , 5F057BB03 , 5F057BB06 , 5F057BB07 , 5F057BB09 , 5F057BB11 , 5F057BB12 , 5F057CA14 , 5F057CA36 , 5F057DA11 , 5F057EC15

引用特許：

審査官引用 (4件)

ウエーハの加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-194883 出願人：株式会社ディスコ
ウエーハの加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-192974 出願人：株式会社ディスコ
ウエーハの処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-018127 出願人：株式会社ディスコ

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