特許
J-GLOBAL ID：202003018898799921
マイクロレンズアレイ基板の製造方法、マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡辺 和昭
, 仲井 智至
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-128840
公開番号（公開出願番号）：特開2020-008678
出願日： 2018年07月06日
公開日（公表日）： 2020年01月16日
要約：
【課題】製造工程が簡略化されると共に、平坦部を精度よく形成するマイクロレンズアレイ基板の製造方法、マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、電子機器を提供すること。【解決手段】マイクロレンズアレイ基板MLの製造方法は、透明基板21上に高屈折率膜25mを形成する工程S1と、高屈折率膜25m上に、高屈折率膜25mより低い屈折率を有する第1の低屈折率膜26mを形成する工程S2と、第1の低屈折率膜26m上におけるマイクロレンズMLの形成領域に、レジストパターン61を形成する工程S3と、レジストパターン61に熱処理を施して、レジストパターン61を、外周側において傾斜面を含む凸形状に変形させる工程S4と、変形したレジストパターン61を介して、高屈折率膜25mおよび第1の低屈折率膜26mにエッチング処理を施して、レジストパターン61の凸形状を転写する工程S5と、を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
透明基板上に高屈折率膜を形成する工程と、
前記高屈折率膜上に、前記高屈折率膜より低い屈折率を有する第1の低屈折率膜を形成する工程と、
前記第1の低屈折率膜上におけるマイクロレンズの形成領域に、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンに熱処理を施して、前記レジストパターンを、外周側において傾斜面を含む凸形状に変形させる工程と、
変形した前記レジストパターンを介して、前記高屈折率膜および前記第1の低屈折率膜にエッチング処理を施して、前記レジストパターンの前記凸形状を、前記高屈折率膜および前記第1の低屈折率膜に転写する工程と、を備えたマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G02B3/00 A
, G02B3/00 Z
, G02F1/1335
2H291FA56X
, 2H291FA56Y
, 2H291FA62X
, 2H291FA62Y
, 2H291FA64X
, 2H291FA64Y
, 2H291FC10
, 2H291FC32
, 2H291FC36
, 2H291FD04
, 2H291FD13
, 2H291GA01
, 2H291LA40
