特許
J-GLOBAL ID:202003019003501821

透明コンダクタ、及び、透明コンダクタを製作するプロセス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 家入 健
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-227034
公開番号(公開出願番号):特開2019-091695
特許番号:特許第6632694号
出願日: 2018年12月04日
公開日(公表日): 2019年06月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】 パターン化された透明コンダクタであって、前記パターン化された透明コンダクタは、 非導電性基板と、 前記非導電性基板上の第1の導電性ラインであって、前記第1の導電性ラインは、導電性ナノ構造の第1のネットワークを備え、第1の長さ方向を有する、第1の導電性ラインと、 前記非導電性基板上の第2の導電性ラインであって、前記第2の導電性ラインは、導電性ナノ構造の第2のネットワークを備え、第2の長さ方向を有する、第2の導電性ラインと、 前記第1の導電性ラインを前記第2の導電性ラインから電気的に絶縁する絶縁領域であって、前記絶縁領域は、前記第1の長さ方向に沿って前記第1の導電性ラインの側方に接する第1の非導電性境界と、前記第2の長さ方向に沿って前記第2の導電性ラインの側方に接する第2の非導電性境界とを有する、絶縁領域と を備え、 前記絶縁領域は、複数の導電性材料アイランドを備え、前記複数の導電性材料アイランドは、前記非導電性基板上に配置され、非導電性ギャップによって互いから電気的に絶縁され、各々の導電性材料アイランドは、それぞれの複数の導電性ナノ構造を備え、 前記導電性ナノ構造が、銀ナノワイヤを有し、 前記非導電性ギャップ、前記第1の非導電性境界、および、前記第2の非導電性境界は、構造欠陥を伴う銀ナノワイヤを有し、 前記構造欠陥を伴う銀ナノワイヤは、少なくとも一部が塩化銀である、 パターン化された透明コンダクタ。
IPC (6件):
H01B 5/14 ( 200 6.01) ,  G06F 3/044 ( 200 6.01) ,  H05K 9/00 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1343 ( 200 6.01) ,  G06F 3/041 ( 200 6.01) ,  H01B 13/00 ( 200 6.01)
FI (9件):
H01B 5/14 B ,  G06F 3/044 122 ,  H05K 9/00 V ,  G02F 1/134 ,  G06F 3/041 660 ,  G06F 3/041 490 ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  H01B 13/00 503 D

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