特許
J-GLOBAL ID:202003019003501821
透明コンダクタ、及び、透明コンダクタを製作するプロセス
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
家入 健
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-227034
公開番号(公開出願番号):特開2019-091695
特許番号:特許第6632694号
出願日: 2018年12月04日
公開日(公表日): 2019年06月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】 パターン化された透明コンダクタであって、前記パターン化された透明コンダクタは、
非導電性基板と、
前記非導電性基板上の第1の導電性ラインであって、前記第1の導電性ラインは、導電性ナノ構造の第1のネットワークを備え、第1の長さ方向を有する、第1の導電性ラインと、
前記非導電性基板上の第2の導電性ラインであって、前記第2の導電性ラインは、導電性ナノ構造の第2のネットワークを備え、第2の長さ方向を有する、第2の導電性ラインと、
前記第1の導電性ラインを前記第2の導電性ラインから電気的に絶縁する絶縁領域であって、前記絶縁領域は、前記第1の長さ方向に沿って前記第1の導電性ラインの側方に接する第1の非導電性境界と、前記第2の長さ方向に沿って前記第2の導電性ラインの側方に接する第2の非導電性境界とを有する、絶縁領域と
を備え、
前記絶縁領域は、複数の導電性材料アイランドを備え、前記複数の導電性材料アイランドは、前記非導電性基板上に配置され、非導電性ギャップによって互いから電気的に絶縁され、各々の導電性材料アイランドは、それぞれの複数の導電性ナノ構造を備え、
前記導電性ナノ構造が、銀ナノワイヤを有し、
前記非導電性ギャップ、前記第1の非導電性境界、および、前記第2の非導電性境界は、構造欠陥を伴う銀ナノワイヤを有し、
前記構造欠陥を伴う銀ナノワイヤは、少なくとも一部が塩化銀である、
パターン化された透明コンダクタ。
IPC (6件):
H01B 5/14 ( 200 6.01)
, G06F 3/044 ( 200 6.01)
, H05K 9/00 ( 200 6.01)
, G02F 1/1343 ( 200 6.01)
, G06F 3/041 ( 200 6.01)
, H01B 13/00 ( 200 6.01)
FI (9件):
H01B 5/14 B
, G06F 3/044 122
, H05K 9/00 V
, G02F 1/134
, G06F 3/041 660
, G06F 3/041 490
, H01B 5/14 A
, H01B 13/00 503 B
, H01B 13/00 503 D
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