厚銅多層基板の半田付け方法

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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：杉本修司 , 野田雅士 , 堤健郎 , 金子大輔 , 大友昭男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-199397
公開番号（公開出願番号）：特開2020-068271
出願日： 2018年10月23日
公開日（公表日）： 2020年04月30日
要約：

【課題】大電流化に対応する銅箔の厚さが70μm以上の厚銅多層基板に対して、実用的で確実な電気的接続及び部品固定が可能な厚銅多層基板の半田付け方法を提供する。【解決手段】回路パターンを構成する銅箔の厚さが70μm以上の厚銅多層基板1における半田付け方法であって、厚銅多層基板1のスルーホール5を介して半田付けする部品2に対し、スルーホール5と、スルーホール5周辺の近傍位置に設けられた複数の貫通孔であるVIAホール6とを同時にフロー半田付けをして半田熱量を保持する半田熱量保持工程と、スルーホール5と、スルーホール5周囲に平面視で半田ごての投入方向に延びた形状を有する手付け半田ランドとを設けて手半田付けをして半田ごての加熱量を増大させる加熱量増大工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

回路パターンを構成する銅箔の厚さが70μm以上の厚銅多層基板における半田付け方法であって、前記厚銅多層基板のスルーホールを介して半田付けする部品に対し、前記スルーホールと、当該スルーホール周辺の近傍位置に設けられた複数の貫通孔であるVIAホールとを同時にフロー半田付けをして半田熱量を保持する、半田熱量保持工程と、前記スルーホールと、当該スルーホール周囲に平面視で半田ごての投入方向に延びる形状を有する手半田付けランドとを設けて手半田付けをして前記半田ごての加熱量を増大させる加熱量増大工程と、を含む、厚銅多層基板の半田付け方法。

IPC (4件)：

H05K 3/34 , B23K 1/00 , B23K 1/19 , B23K 1/08

FI (5件)：

H05K3/34 501C , H05K3/34 506B , B23K1/00 330E , B23K1/19 K , B23K1/08 320

Fターム (8件)：

4E080AA02 , 4E080AB03 , 5E319AA02 , 5E319AB01 , 5E319AC11 , 5E319CC23 , 5E319CC53 , 5E319GG03

引用特許：

審査官引用 (9件)

プリント配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-237987 出願人：NECプラットフォームズ株式会社
特開昭58-064090
プリント基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-135218 出願人：アスモ株式会社

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