バイアス制御回路及びバイアス制御方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人志賀国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018026308
公開番号（公開出願番号）：WO2019-013278
出願日： 2018年07月12日
公開日（公表日）： 2019年01月17日
要約：

バイアス制御回路の制御部は、第2のバイアス電圧を固定しかつ第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、光変調器が出力する多値のQAM信号の光パワを最大値又は最小値の近傍に収束させるよう制御したときの第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理を行う。制御部は、記録された複数の組それぞれについて第一候補バイアス電圧と第二候補バイアス電圧との差分を算出し、算出した差分に基づいて選択した組の第一候補バイアス電圧と第二候補バイアス電圧との間の値を、第1のバイアス電圧の値として決定する。

請求項（抜粋）：

光変調器のバイアス制御を行うバイアス制御回路であって、前記光変調器は、入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第1のn値データ信号に応じて変更する第1の光位相変調部と、入力される光の位相又は強度を、n種類の値を有する第2のn値データ信号に応じて変更する第2の光位相変調部と、前記第1の光位相変調部からの出力光及び前記第2の光位相変調部からの出力光の少なくとも一方に遅延を与えることにより+π/2または-π/2の光位相差を与える光位相シフタと、少なくとも一方に前記光位相シフタによる前記光位相差が与えられた前記第1の光位相変調部からの前記出力光及び前記第2の光位相変調部からの前記出力光を合波して生成した多値のQAM信号を出力する合波部とを有しており、前記バイアス制御回路は、前記第1のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第1の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第1のバイアス電圧を発生する第1のバイアス電源と、前記第2のn値データ信号がゼロレベルであるときに前記第2の光位相変調部からの出力光が消光するよう設定するための第2のバイアス電圧を発生する第2のバイアス電源と、前記光位相シフタの位相シフト量を調整するための第3のバイアス電圧を発生する第3のバイアス電源と、前記光変調器からの出力光の光パワをモニタする光パワモニタと、前記光パワモニタによるモニタ結果に基づいて、前記第1のバイアス電源が発生する前記第1のバイアス電圧、前記第2のバイアス電源が発生する前記第2のバイアス電圧及び前記第3のバイアス電源が発生する前記第3のバイアス電圧を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記第2のバイアス電圧を固定しかつ前記第3のバイアス電圧を半波長電圧だけ増加または減少させた前後のそれぞれにおいて、前記光パワを最大値又は最小値の近傍に収束するよう制御したときの前記第1のバイアス電圧である第一候補バイアス電圧及び第二候補バイアス電圧の組を記録する処理を、前記第2のバイアス電圧を所定範囲で変化させながら繰り返すループ処理を行い、記録された複数の前記組それぞれについて前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との差分を算出し、算出した前記差分に基づいて選択した組の前記第一候補バイアス電圧と前記第二候補バイアス電圧との間の値を、前記第1のバイアス電源から発生させる前記第1のバイアス電圧として決定する電圧決定処理を行う、バイアス制御回路。

IPC (2件)：

H04B 10/556 , G02F 1/01

FI (2件)：

H04B10/556 , G02F1/01 B

Fターム (33件)：

2K102AA21 , 2K102BA03 , 2K102BB01 , 2K102BB04 , 2K102BC04 , 2K102BD01 , 2K102CA09 , 2K102DA04 , 2K102DB05 , 2K102DD03 , 2K102DD05 , 2K102EA02 , 2K102EA21 , 2K102EA22 , 2K102EA26 , 2K102EB22 , 5K102AA51 , 5K102AH02 , 5K102AH24 , 5K102AH26 , 5K102AH27 , 5K102MA01 , 5K102MB04 , 5K102MC11 , 5K102MD03 , 5K102MH02 , 5K102MH13 , 5K102MH22 , 5K102PB01 , 5K102PH02 , 5K102PH31 , 5K102PH49 , 5K102RD28

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