特許
J-GLOBAL ID:202003019251860765
垂直輸送フィン電界効果トランジスタおよび垂直輸送フィン電界効果トランジスタの形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
上野 剛史
, 太佐 種一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-541395
公開番号(公開出願番号):特表2020-507213
出願日: 2018年01月17日
公開日(公表日): 2020年03月05日
要約:
【課題】垂直輸送フィン電界効果トランジスタのための下部誘電体分離の手法を提供する。【解決手段】垂直輸送フィン電界効果トランジスタ(VT FinFET)は、基板の表面上の1つまたは複数の垂直フィンと、1つまたは複数の垂直フィンのうちの少なくとも1つに隣接する基板上のL字形またはU字形スペーサ溝と、1つまたは複数の垂直フィンのうちの少なくとも1つの側壁およびL字形またはU字形スペーサ溝上のゲート誘電体層とを含む。【選択図】図25
請求項(抜粋):
垂直輸送フィン電界効果トランジスタ(VT FinFET)であって、
基板の表面上の1つまたは複数の垂直フィンと、
前記1つまたは複数の垂直フィンのうちの少なくとも1つに隣接する前記基板上のL字形またはU字形スペーサ溝と、
前記1つまたは複数の垂直フィンのうちの前記少なくとも1つの側壁および前記L字形またはU字形スペーサ溝上のゲート誘電体層とを備える、垂直輸送フィン電界効果トランジスタ。
IPC (5件):
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 21/823
, H01L 27/092
, H01L 29/786
FI (4件):
H01L29/78 301H
, H01L27/092 C
, H01L29/78 626A
, H01L29/78 619A
Fターム (89件):
5F048AC03
, 5F048BA02
, 5F048BA15
, 5F048BA16
, 5F048BB06
, 5F048BB07
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BC03
, 5F048BD07
, 5F048BF07
, 5F048BF15
, 5F048BF16
, 5F048BG13
, 5F048CB07
, 5F110BB03
, 5F110BB04
, 5F110BB05
, 5F110CC09
, 5F110DD01
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE24
, 5F110EE48
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF27
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG04
, 5F110GG22
, 5F110HJ13
, 5F110HJ22
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN40
, 5F110NN62
, 5F110NN65
, 5F110QQ19
, 5F140AB03
, 5F140AC28
, 5F140AC36
, 5F140BA01
, 5F140BA02
, 5F140BA03
, 5F140BA05
, 5F140BA07
, 5F140BB04
, 5F140BC15
, 5F140BD01
, 5F140BD04
, 5F140BD07
, 5F140BD09
, 5F140BD11
, 5F140BD13
, 5F140BE09
, 5F140BE10
, 5F140BF04
, 5F140BF05
, 5F140BF07
, 5F140BG27
, 5F140BG37
, 5F140BG46
, 5F140BH06
, 5F140BH25
, 5F140BH26
, 5F140BH30
, 5F140CB04
, 5F140CC03
, 5F140CC10
, 5F140CC12
, 5F140CC16
, 5F140CE07
引用特許:
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