特許

J-GLOBAL ID：202003019309220729

記憶装置

発明者： 北川 英二 ,  李 永ミン ,  及川 忠昭 ,  吉野 健一 ,  澤田 和也 ,  磯田 大河
出願人/特許権者： キオクシア株式会社
代理人 (5件)： 蔵田 昌俊 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  鵜飼 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-171328
公開番号（公開出願番号）：特開2020-043282
出願日： 2018年09月13日
公開日（公表日）： 2020年03月19日
要約：

【課題】高品質な記憶装置を提供する。【解決手段】記憶装置は、抵抗変化素子22を具備する。抵抗変化素子22は、強磁性体210と、強磁性体230と、強磁性体210および強磁性体230の間に設けられた、ボロン添加希土類酸化物を含む非磁性体220とを含む積層体120を備える。2つの強磁性体を含む構造が記憶層として使用される場合、2つの強磁性体の磁化方向の反転を2つの強磁性体の間のSTTを使用することによって、効率的に行うことができ、記憶層の書き込み電流を低減できる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

抵抗変化素子を具備し、 前記抵抗変化素子は、第1強磁性体と、第2強磁性体と、前記第1強磁性体および前記第2強磁性体の間に設けられた、ボロン添加希土類酸化物を含む第1非磁性体とを含む積層体を備える、 記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 45/00

FI (3件)：

H01L27/105 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L45/00 A

Fターム (16件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD17 ,  5F092AA04 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB23 ,  5F092BB29 ,  5F092BB34 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC13