特許

J-GLOBAL ID：202003019340418910

成膜装置及び成膜方法

発明者： 渡部 武紀 ,  橋上 洋
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (2件)： 好宮 幹夫 ,  小林 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-122695
公開番号（公開出願番号）：特開2020-002426
出願日： 2018年06月28日
公開日（公表日）： 2020年01月09日
要約：

【課題】 成膜速度に優れミストCVD法が適用可能な成膜装置、及び、成膜速度に優れた成膜方法を提供することを目的とする。【解決手段】 原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト化部と、前記ミストを搬送するキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と、前記ミストを熱処理して基体上に成膜を行う成膜部と、前記ミスト化部と前記成膜部とを接続し、前記キャリアガスによって前記ミストが搬送される搬送部と、前記搬送部の少なくとも一部を加熱する搬送部加熱手段とを有する成膜装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

成膜装置であって、 原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト化部と、 前記ミストを搬送するキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と、 前記ミストを熱処理して基体上に成膜を行う成膜部と、 前記ミスト化部と前記成膜部とを接続し、前記キャリアガスによって前記ミストが搬送される搬送部と、 前記搬送部の少なくとも一部を加熱する搬送部加熱手段とを有することを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

C23C 16/448 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/368

FI (4件)：

C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 Z

Fターム (37件)：

4K030AA02 ,  4K030AA14 ,  4K030BA08 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA25 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE29 ,  5F045AF09 ,  5F045BB09 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045EC09 ,  5F045EE02 ,  5F045EK06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB58 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053KK01 ,  5F053KK02 ,  5F053KK10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-090050   出願人：株式会社FLOSFIA
• 原料ガスの供給システム及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-255059   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体製造装置および半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-020696   出願人：関西日本電気株式会社