特許

J-GLOBAL ID：202003019373832819

半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機

発明者： 清水 達雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  高下 雅弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-173110
公開番号（公開出願番号）：特開2020-047668
出願日： 2018年09月14日
公開日（公表日）： 2020年03月26日
要約：

【課題】キャリアの移動度の低下を抑制する半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、炭化珪素層と、ゲート電極と、炭化珪素層とゲート電極との間のゲート絶縁層と、炭化珪素層とゲート絶縁層との間に位置し、3個の第1のシリコン原子と結合する3配位の第1の窒素原子と、3個の第2のシリコン原子と結合する3配位の第2の窒素原子と、3個の第3のシリコン原子と結合する3配位の第3の窒素原子と、を含み、第1の窒素原子、第2の窒素原子、及び、第3の窒素原子が隣り合う第1の結合構造を有する領域と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素層と、 ゲート電極と、 前記炭化珪素層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁層と、 前記炭化珪素層と前記ゲート絶縁層との間に位置し、3個の第1のシリコン原子と結合する3配位の第1の窒素原子と、3個の第2のシリコン原子と結合する3配位の第2の窒素原子と、3個の第3のシリコン原子と結合する3配位の第3の窒素原子と、を含み、前記第1の窒素原子、前記第2の窒素原子、及び、前記第3の窒素原子が隣り合う第1の結合構造を有する領域と、 を備える半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/316

FI (8件)：

H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 655A ,  H01L21/324 X ,  H01L21/316 X

Fターム (12件)：

5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF11 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH07 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-107938   出願人：株式会社東芝