特許

J-GLOBAL ID：202003019450991909

III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 渡邉 康弘
出願人/特許権者： DOWAエレクトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  福井 敏夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-223516
公開番号（公開出願番号）：特開2020-098908
出願日： 2019年12月11日
公開日（公表日）： 2020年06月25日
要約：

【課題】高い発光出力及び優れた信頼性を両立したIII族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体発光素子は、基板上10に、n型半導体層30、発光層40、p型AlGaN電子ブロック層60、p型コンタクト層70及びp側反射電極80を順次備え、発光層からの発光の発光中心波長が250nm以上330nm以下であり、p型AlGaN電子ブロック層のAl組成比は0.40以上0.80以下であり、p型コンタクト層の膜厚は10nm以上50nm以下であり、かつ、p型コンタクト層は、Al組成比が0.03以上0.25以下であるp型AlGaNコンタクト層を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、n型半導体層、発光層、p型AlGaN電子ブロック層、p型コンタクト層及びp側反射電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、 前記発光層からの発光の発光中心波長が250nm以上330nm以下であり、 前記p型AlGaN電子ブロック層のAl組成比は0.40以上0.80以下であり、 前記p型コンタクト層の膜厚は10nm以上50nm以下であり、かつ、該p型コンタクト層は、Al組成比が0.03以上0.25以下であるp型AlGaNコンタクト層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/02 ,  H01L 33/32 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

Fターム (45件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F241AA04 ,  5F241AA43 ,  5F241CA05 ,  5F241CA13 ,  5F241CA40 ,  5F241CA65 ,  5F241CA66 ,  5F241CA74 ,  5F241CA84 ,  5F241CB11 ,  5F241CB15 ,  5F241FF11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• III族窒化物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法、ならびにIII族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-224637   出願人：DOWAエレクトロニクス株式会社