特許

J-GLOBAL ID：202003019553439864

炭化珪素半導体基板、炭化珪素半導体基板の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 俵 武志 ,  土田 秀一 ,  宮澤 哲哉
出願人/特許権者： 富士電機株式会社 ,  一般財団法人電力中央研究所
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-150853
公開番号（公開出願番号）：特開2018-019047
特許番号：特許第6703915号
出願日： 2016年07月29日
公開日（公表日）： 2018年02月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 端部から所定の幅までの外周部と、該外周部以外の中央部とからなる第1導電型の炭化珪素基板と、 前記炭化珪素基板の前記中央部のおもて面に設けられ、前記炭化珪素基板の導電型を決める第1の不純物と前記第1の不純物と異なるライフタイムキラーとなる元素とが添加された、前記第1の不純物の濃度が1.0×1018/cm3以上の第1導電型のバッファ層と、 前記炭化珪素基板の前記外周部のおもて面に設けられた、前記第1の不純物の濃度が前記バッファ層の濃度より低い第1導電型のエピタキシャル層と、 を含むことを特徴とする炭化珪素半導体基板。

IPC (5件)：

H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 33/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01L 29/78 652 T ,  C30B 29/36 A ,  C30B 33/04 ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 658 H ,  H01L 29/78 658 A