特許
J-GLOBAL ID：202003019597321712

構造体の製造方法と製造装置、および光照射装置

発明者：
堀切 文正

堀切 文正 について

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福原 昇

福原 昇 について


出願人/特許権者：
株式会社サイオクス

株式会社サイオクス について

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住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (2件)： 福岡 昌浩 ,  橘高 英郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-148872
特許番号：特許第6668545号
出願日： 2019年08月14日
要約：
【課題】少なくとも表面がIII族窒化物結晶で構成されたウエハに対し、無電極PECエッチングを好適に行うための技術を提供する。 【解決手段】構造体の製造方法は、少なくとも表面がIII族窒化物結晶で構成されたウエハを、ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液中に浸漬された状態で用意する工程と、エッチング液を介して、ウエハの前記表面に、波長が200nm以上310nm未満の第1の光を、第1の照射条件で照射するとともに、波長が310nm以上365nm未満の第2の光を、第1の照射条件とは独立して制御された第2の照射条件で照射する工程と、を有する。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも表面がIII族窒化物結晶で構成されたウエハを、ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液中に浸漬された状態で用意する工程と、 前記エッチング液を介して、前記ウエハの前記表面に、光を照射する工程と、 を有し、 前記III族窒化物結晶は、波長が310nm以上である光が照射されることでホールが生成される組成を有し、 前記光を照射する工程では、前記ウエハの前記表面に、波長が200nm以上310nm未満の第1の光を、第1の照射条件で照射するとともに、波長が310nm以上であって、前記III族窒化物結晶にホールを生成させる波長である、第2の光を、前記第1の照射条件とは独立して制御された第2の照射条件で照射する、構造体の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/308 ( 200 6.01) ,  H01L 21/306 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/308 A ,  H01L 21/306 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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