特許

J-GLOBAL ID：202003019748456453

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 菊池 亨 ,  大園 修司 ,  太田 淳 ,  座間 秀昭 ,  浅利 伸
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (4件)： 大森 純一 ,  高橋 満 ,  中村 哲平 ,  日比野 幸信
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-509580
特許番号：特許第6703186号
出願日： 2018年10月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上に活性層を形成し、 ソース領域及びドレイン領域を、前記活性層と電気的に接続可能に形成し、 前記活性層の表面に、酸化ケイ素で構成される第1の金属酸化物層をプラズマCVDで形成し、 前記第1の金属酸化物層の表面に、酸化アルミニウムで構成される第2の金属酸化物層をALDで形成し、 前記第2の金属酸化物層の表面に、ゲート電極を形成する 薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 29/78 627 E ,  H01L 21/316 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-228042
  
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-101929   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜トランジスタの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-047314   出願人：富士通株式会社