特許

J-GLOBAL ID：202003019826075305

半導体装置

発明者： 生松 均
出願人/特許権者： 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-138787
公開番号（公開出願番号）：特開2018-010968
特許番号：特許第6699867号
出願日： 2016年07月13日
公開日（公表日）： 2018年01月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板と、 前記基板上に設けられた半導体層と、 前記半導体層の上の活性領域に設けられたドレイン電極、ソース電極およびゲート電極と、 前記半導体層の上に設けられた絶縁膜と、 前記ドレイン電極と電気的に接続され、基板の一辺に沿って配置された複数のドレインパッドと、を具備し、 前記複数のドレインパッドのうち前記基板の一辺と直交する辺に最も近い第1ドレインパッドは、前記絶縁膜の上面に接触して設けられ、 前記複数のドレインパッドのうち、両側に他のドレインパッドが配置された第2ドレインパッドは、前記半導体層に接して設けられ、 前記第2ドレインパッドと比較して、前記第1ドレインパッドの前記ソース電極と対向する辺の幅が大きい半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/88 T