特許

J-GLOBAL ID：202003019985287364

ポリシリコンの製造方法

発明者： 鎌田 誠
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
代理人 (1件)： 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018021363
公開番号（公開出願番号）：WO2018-230380
出願日： 2018年06月04日
公開日（公表日）： 2018年12月20日
要約：

ポリシリコンの効率的な製造方法を実現する。本発明は、ジーメンス法によるポリシリコンの製造方法であり、反応器と排ガス処理設備とは、排ガス配管に設けられた遮断弁によって接続されており、上記遮断弁は、上記反応器の排ガス出口の近傍に設けられており、上記反応器の排ガス出口と上記遮断弁との間において、間接冷却型の冷却器により排ガスを冷却する。

請求項（抜粋）：

反応器を用いてジーメンス法によってポリシリコンを製造する工程を含むポリシリコンの製造方法であって、 上記反応器は、排ガス処理設備と、排ガス配管を介して接続されており、 上記反応器と上記排ガス処理設備とは、上記排ガス配管に設けられた遮断弁によって切り離し可能に接続されており、 上記遮断弁は、上記反応器の排ガス出口の近傍に設けられており、 上記排ガス配管の、上記反応器の排ガス出口と上記遮断弁との間において、間接冷却型の冷却器により排ガスを冷却する冷却工程を含むことを特徴とするポリシリコンの製造方法。

IPC (1件)：

C01B 33/035

FI (1件)：

C01B33/035

Fターム (14件)：

4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072GG05 ,  4G072HH09 ,  4G072JJ01 ,  4G072MM21 ,  4G072NN17 ,  4G072QQ13 ,  4G072RR11 ,  4G072RR21 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02