特許

J-GLOBAL ID：202003020183928150

表示デバイス

発明者： フォイファー アレクサンダー ,  ショルツ ドミニク
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 特許業務法人鷲田国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-559097
特許番号：特許第6688320号
出願日： 2016年05月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 互いに別個に作動させることが可能な複数のピクセル(1a、1b、1c)を備えた表示デバイス(1)であって、 第1の半導体層(31)、活性層(33)および第2の半導体層(35)を含み、電磁放射を発生させる半導体積層体(3)と、 前記第1の半導体層(31)に接触し、第1のコンタクト(51a、51b、51c)を有する第1のコンタクト構造(51)と、 前記第2の半導体層(35)に接触し、第2のコンタクト(55a、55b)を有する第2のコンタクト構造(55)と、 を備え、 前記第1のコンタクトはそれぞれ、互いに別個に作動させることが可能であり、前記第1の半導体層(31)に沿って横方向に中断されずに延在し、当該第1のコンタクトの輪郭によって横方向でそれぞれのピクセル(1a、1b、1c)の境界を定め、 前記半導体積層体(3)および前記第1のコンタクト構造(51)は、それぞれのピクセル(1a、1b、1c)と横方向で隣接する少なくとも1つの陥凹部(7a、7b)を有し、 前記陥凹部は、前記第1のコンタクト構造(51)、前記第1の半導体層(31)および前記活性層(33)を通って、前記第2の半導体層(35)内へと延在し、 前記第2のコンタクト(55a、55b)は、前記半導体積層体(3)のうち前記第1のコンタクト構造(51)に面する側から前記少なくとも1つの陥凹部(7a、7b)を通って延在し、 前記ピクセル(1a、1b、1c)は、格子(100)の形態で互いに横方向に分離して配置され、 前記第2のコンタクトは、前記格子(100)の横方向に連続したノーダルポイント(100x)のx(任意の自然数)個おきに配置される、 表示デバイス(1)。

IPC (4件)：

H01L 33/08 ( 201 0.01) ,  H01L 33/38 ( 201 0.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  G09F 9/33 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 33/08 ,  H01L 33/38 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/33

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 表示装置および表示装置の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-547841   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング