特許

J-GLOBAL ID：202003020283262680

データの書き込み方法及び磁気メモリ

発明者： 佐々木 智生 ,  塩川 陽平
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  荒 則彦 ,  飯田 雅人 ,  荻野 彰広
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018003435
公開番号（公開出願番号）：WO2019-150528
出願日： 2018年02月01日
公開日（公表日）： 2019年08月08日
要約：

本発明の一態様にかかるデータの書き込み方法は、第1の方向に延在するスピン軌道トルク配線と、前記スピン軌道トルク配線の一面に積層され、前記スピン軌道トルク配線側から第1強磁性層と非磁性層と第2強磁性層とを備える機能部と、を備えるスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子において、前記スピン軌道トルク配線の前記第1の方向に印加する電圧を、環境温度における臨界書き込み電圧以上所定値以下の電圧を印加する。

請求項（抜粋）：

第1の方向に延在するスピン軌道トルク配線と、前記スピン軌道トルク配線の一面に積層され、前記スピン軌道トルク配線側から第1強磁性層と非磁性層と第2強磁性層とを備える機能部と、を備えるスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子において、 前記スピン軌道トルク配線の前記第1の方向に印加する電圧を、環境温度における臨界書き込み電圧以上所定値以下とし、 前記所定値は、 環境温度が-40°C、20°C及び100°Cにおいては、前記第1強磁性層の磁化を反転させる際の書き込みエラーレートが、前記臨界書き込み電圧をかけた際の書き込みエラーレートと等しくなる限界書き込み電圧であり、 環境温度が20°C未満の温度領域においては、-40°Cにおける限界書き込み電圧と20°Cにおける限界書き込み電圧とを結ぶ直線上に位置する電圧であり、 環境温度が20°C以上の温度領域においては、20°Cにおける限界書き込み電圧と100°Cにおける限界書き込み電圧とを結ぶ直線上に位置する電圧である、データの書き込み方法。

IPC (5件)：

G11C 11/16 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C11/16 240 ,  H01L27/105 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z

Fターム (20件)：

4M119AA07 ,  4M119AA08 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC10 ,  4M119DD17 ,  4M119EE03 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC25 ,  5F092AD13 ,  5F092BB23 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB38 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03