面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人レクスト国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018007272
公開番号（公開出願番号）：WO2018-155710
出願日： 2018年02月27日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
要約：

MOVPE法によりIII族窒化物半導体からなる面発光レーザを製造する製造方法であって、(a)基板上に第1導電型の第1のクラッド層を成長する工程と、(b)第1のクラッド層上に第1導電型の第1のガイド層を成長する工程と、(c)第1のガイド層に、エッチングにより第1のガイド層に平行な面内において2次元的な周期性を有する空孔を形成する工程と、(d)III族原料及び窒素源を含むガスを供給して、空孔の開口上部に所定の面方位のファセットを有する凹部が形成されるように成長を行って、空孔の開口部を塞ぐ工程と、(e)空孔の開口部を塞いだ後、マストランスポートによって凹部を平坦化する工程と、を有し、工程(e)の実行後における空孔の側面のうち少なくとも1つが{10-10}ファセットである。

請求項（抜粋）：

MOVPE法によりIII族窒化物半導体からなる面発光レーザを製造する製造方法であって、 (a)基板上に第1導電型の第1のクラッド層を成長する工程と、 (b)前記第1のクラッド層上に前記第1導電型の第1のガイド層を成長する工程と、 (c)前記第1のガイド層に、エッチングにより前記第1のガイド層に平行な面内において2次元的な周期性を有する空孔を形成する工程と、 (d)III族原料及び窒素源を含むガスを供給して、前記空孔の開口上部に所定の面方位のファセットを有する凹部が形成されるように成長を行って、前記空孔の開口部を塞ぐ工程と、 (e)前記空孔の前記開口部を塞いだ後、マストランスポートによって前記凹部を平坦化する工程と、を有し、前記平坦化する工程の実行後における前記空孔の側面のうち少なくとも1つが{10-10}ファセットである面発光レーザの製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/18 , H01L 21/205 , C30B 29/38

FI (3件)：

H01S5/18 , H01L21/205 , C30B29/38 D

Fターム (28件)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045CA12 , 5F045DA52 , 5F045DA55 , 5F173AC52 , 5F173AC70 , 5F173AF52 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AP17 , 5F173AP33 , 5F173AP62 , 5F173AR84

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