特許
J-GLOBAL ID：202003020696508830
デバイスウエーハの加工方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-155623
公開番号（公開出願番号）：特開2018-026397
特許番号：特許第6684182号
出願日： 2016年08月08日
公開日（公表日）： 2018年02月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面の交差する複数の分割予定ラインによって区画された基板上の各領域に積層されたパッシベーション膜を含む複数のデバイスが形成されており、該分割予定ライン上の領域に該基板表面が露出し、裏面全面に金属膜が形成されたデバイスウエーハを加工するデバイスウエーハの加工方法であって、
該デバイスウエーハの外周部にプラズマ耐性を有する保護部材を形成する保護部材形成工程と、
該デバイスウエーハの裏面側を保持し、該デバイスウエーハの表面側から該パッシベーション膜及び該保護部材をマスクにして該分割予定ラインに沿ってプラズマエッチングして、該金属膜に延び且つ該デバイスウエーハの外周面に露出しない溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程を実施した後、該デバイスウエーハ表面に水を供給し該溝を水で満たす水供給工程と、
該水供給工程後に該デバイスウエーハの表面を封止部材で封止する封止工程と、
該封止工程を実施した後に該デバイスウエーハを冷却し該溝に満たされた水を凍結させ、凍結された水の体積増加による力により該金属膜を該分割予定ラインに沿って破断し個々のデバイスに分割する分割工程と、を備えるデバイスウエーハの加工方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L 21/78 Q
, H01L 21/78 S
, H01L 21/78 T
