特許

J-GLOBAL ID：202003020760272862

情報処理装置、読み出し制御方法、及びプログラム

発明者： 浅井 良彦 ,  倉藤 崇 ,  木村 陽子
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-117711
公開番号（公開出願番号）：特開2017-224073
特許番号：特許第6742831号
出願日： 2016年06月14日
公開日（公表日）： 2017年12月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 秘匿情報が格納される秘匿領域を有する不揮発性メモリと、 前記不揮発性メモリに対するアクセスについて認証する認証コントローラと、 フラグ情報を記憶するフラグ情報記憶部と、 前記フラグ情報記憶部に記憶された前記フラグ情報を用いて、前記不揮発性メモリへのアクセスを制御するメモリコントローラと、 を有し、 前記メモリコントローラは、前記フラグ情報の値が所定の値であり、かつ、前記認証コントローラによりアクセスの正当性が認証された場合、前記秘匿領域からの前記秘匿情報の読み出しを許可し、 前記メモリコントローラは、前記認証コントローラの認証結果によらず、前記秘匿領域の内容が消去されていない場合には、前記フラグ情報の値を、アクセスを許可するために必要な値に変更しない、 情報処理装置。

IPC (1件)：

G06F 21/62 ( 201 3.01)

FI (1件)：

G06F 21/62 309

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-251985
  
• 半導体装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-041180   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 光トランシーバ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-018439   出願人：住友電気工業株式会社
• 不正アクセス防止機能付き携帯型記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-178701   出願人：三菱電機株式会社