半導体膜の形成方法及び成膜装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-220608
公開番号（公開出願番号）：特開2020-088175
出願日： 2018年11月26日
公開日（公表日）： 2020年06月04日
要約：

【課題】不純物をドープすることなく、グレインサイズが制御された結晶化半導体膜を形成できる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による半導体膜の形成方法は、基板の上に所望のグレインサイズを有する結晶化された半導体膜を形成する方法であって、処理容器内に収容された前記基板の上にシード層を形成する工程と、前記シード層が形成された前記基板を収容した状態で前記処理容器内の圧力を中真空以下に真空引きする工程と、前記処理容器内を真空引きした後、前記シード層の上にアモルファス半導体膜を形成する工程と、前記アモルファス半導体膜を熱処理により結晶化させる工程と、を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板の上に所望のグレインサイズを有する結晶化された半導体膜を形成する方法であって、処理容器内に収容された前記基板の上にシード層を形成する工程と、前記シード層が形成された前記基板を収容した状態で前記処理容器内の圧力を中真空以下に真空引きする工程と、前記処理容器内を真空引きした後、前記シード層の上にアモルファス半導体膜を形成する工程と、前記アモルファス半導体膜を熱処理により結晶化させる工程と、を有する、半導体膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L21/205 , H01L21/20

Fターム (27件)：

5F045AB03 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045DA53 , 5F045HA16 , 5F152AA06 , 5F152BB02 , 5F152CC08 , 5F152CD05 , 5F152CD09 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE13 , 5F152CE38 , 5F152CE44 , 5F152EE13 , 5F152FF22

引用特許：

審査官引用 (5件)

成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-032291 出願人：株式会社東芝
半導体基材の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-104536 出願人：半那純一
半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-281539 出願人：株式会社日立国際電気

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