特許
J-GLOBAL ID：202003020881277969

III族元素窒化物結晶の製造方法及び製造装置

発明者：
森 勇介

森 勇介 について

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吉村 政志

吉村 政志 について

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今西 正幸

今西 正幸 について

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北本 啓

北本 啓 について

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隅 智亮

隅 智亮 について

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滝野 淳一

滝野 淳一 について


出願人/特許権者：
パナソニックIPマネジメント株式会社

パナソニックIPマネジメント株式会社 について


代理人 (3件)： 松谷 道子 ,  岡部 博史 ,  稲葉 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-022768
公開番号（公開出願番号）：特開2020-132435
出願日： 2019年02月12日
公開日（公表日）： 2020年08月31日
要約：
【課題】III族元素窒化物結晶の製造の際に基板トレーに発生する多結晶を抑制できるIII族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】III族元素窒化物結晶の製造方法は、Fe、Ni、Coまたはこれらを主成分とする合金で構成される基板トレーの上に種基板を準備する工程と、III族元素含有ガスと、窒素元素含有ガスとを用いて、III族元素窒化物結晶を成長させる工程と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Fe、Ni、Coまたはこれらを主成分とする合金で構成される基板トレーの上に種基板を準備する工程と、 III族元素含有ガスと、窒素元素含有ガスとを用いて、III族元素窒化物結晶を成長させる工程と、 を含む、III族元素窒化物結晶の製造方法。
IPC (1件)：
C30B 29/38
FI (1件)：
C30B29/38 D
Fターム (11件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077TB02 ,  4G077TF01 ,  4G077TF03 ,  4G077TK08
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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